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GT8101是聚辰2021年研發(fā)的一款100V VBOOT 電壓的MOSFET驅(qū)動器，提供1A的驅(qū)動電流能力，性能優(yōu)良，保護周全，外圍電路簡潔。

GT8101基本參數(shù)

? 100V VBOOT 電壓

? 工作電壓5.5V至20V

? 1A驅(qū)動電流能力，驅(qū)動1nF負載時，上升及下降時間20nS

? 提供Shoot-Through保護可有效防止上下管同時導通導致芯片或MOSFET損壞

? 獨立的 High- and Low-Side Under-Voltage 保護

? 工業(yè)級–40 °C to +125 °C 工作溫度范圍

? SOP-8L封裝

GT8101三大優(yōu)勢集于一身

1、強悍的抗負壓能力，顯著提高系統(tǒng)可靠性

GT8101系列產(chǎn)品對于可能因負壓沖擊造成芯片損傷的管腳做了強化設(shè)計，可承受-7V直流電壓，無需額外的保護元件，提高系統(tǒng)可靠性的同時，對PCB布局布線更友好。市場上同類產(chǎn)品中抗負壓強度大多為-0.3V/-1V。

2、內(nèi)置自舉二極管，外圍線路簡潔，節(jié)省PCB面積和BOM成本

GT8101外圍僅需兩個電容和一個電阻。比起市面上同類的產(chǎn)品多達15個的外圍器件， GT8101極大地節(jié)省了PCB面積和BOM成本。

3、自適應的死區(qū)時間控制，保護芯片的同時最大程度提升系統(tǒng)效率。

半橋驅(qū)動產(chǎn)品需要保證兩個MOSFET中只有一個在任何給定的時間是開啟的，如果同一側(cè)的兩個MOSFET同時開啟，會導致電源短路到地，產(chǎn)生直通電流（shoot-through），過量的shoot-through會導致MOSFET功率耗散更大，甚至損壞MOSFET。

減小shoot-through的方式通?？梢苑殖杀粍拥幕蛘咧鲃拥?。被動的shoot-through保護可以通過實現(xiàn)高側(cè)和低柵極驅(qū)動器之間的延遲，雖然簡單，但所需延遲時間較長；主動的shoot-through保護可通過監(jiān)測柵極驅(qū)動輸出和開關(guān)節(jié)點上的電壓，以確定何時開關(guān)MOSFET。但柵極驅(qū)動和返回路徑中的高電流和快速開關(guān)電壓可能引起寄生振鈴，使MOSFET重新打開，而且驅(qū)動器無法監(jiān)測MOSFET內(nèi)部的柵極電壓。

聚辰的GT8101產(chǎn)品采用主動和被動結(jié)合的自適應的死區(qū)時間控制，監(jiān)測柵極驅(qū)動輸出和開關(guān)節(jié)點上的電壓，以確保兩個MOSFET不同時開啟，最大限度地減少射穿電流，防止因為shoot-through造成的芯片的損壞的同時，并最可能的減小死區(qū)時間，最小35nS，從而提高了系統(tǒng)效率。

目前聚辰GT8101 MOFSET半橋驅(qū)動產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，主要應用于電子助力轉(zhuǎn)向（EPS）、車載空調(diào)系統(tǒng)等領(lǐng)域。除了芯片產(chǎn)品本身，聚辰還將根據(jù)客戶需求提供硬件及軟件（算法）設(shè)計等定制化解決方案。

聚辰半導體一直致力于順應市場趨勢為客戶提供出色的產(chǎn)品和服務。未來，聚辰將持續(xù)提升自主研發(fā)創(chuàng)新水平，鞏固在非易失性存儲芯片領(lǐng)域的市場領(lǐng)先地位，豐富在驅(qū)動芯片等領(lǐng)域的產(chǎn)品布局，與行業(yè)伙伴深化合作，共同為產(chǎn)業(yè)升級和社會智能化發(fā)展賦能。